Principali
metodi di crescita cristallina
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I.
Crescita in sistemi ad un componente
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(a)
Solido-solido
Strain-annealing, devetrificazione o cambio
fase polimorfo
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(b)
Liquido-solido
Solidificazione direzionale (Bridgman-Stockbarger)
Stiramento (Czochralski)
Fusione a Zone
Fusione a fiamma (Verneuil)
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(c)
Gas-solido
Sublimazione-condensazione o spruzzo
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II.
Crescita con più componenti
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(a)
Solido-solido
Precipitazione da soluzioni solide
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(b)
Liquido-solido
Crescita da soluzioni (evaporazione, raffreddamento
lento e temperatura differenziale):
(i) soluzione acquosa; (ii) solventi organici;
(iii) solventi fusi; (iv)
idrotermale
Crescita per reazione:
(i)
reazione chimica; (ii) reazione elettrochimica
Crescita da fuso;
e.g. fusione congruente di composti
intermetallici
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(c)
Gas-solido
Crescita da reazione
reversibile (chemical vapour transport)
Crescita da reazione irreversibile (processi
epitassiali).
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Metodi Bridgman- Stockbarger
Questi metodi si basano sulla solidificazione di un fuso stechiometrico, con
controllo della cristallizzazione mediante passaggio del fuso attraverso un
gradiente di temperatura. La cristallizzazione avviene all’estremità più
fredda. La Figura (a sinistra) mostra il principio del metodo Stockbarger, col
fuso in una navetta estratta da una fornace. Il metodo Bridgman utilizza un
contenitore riempito con il materiale in polvere e riscaldato sino al punto di
fusione della sostanza (Figura, a destra). Dopo fusione completa, il contenitore
viene gradualmente raffreddato per accrescere un cristallo singolo.
Durante la solidificazione, si formano minuscoli cristalli sulla punta del
contenitore. Raffreddando ulteriormente, accade che un cristallo con una
orientazione preferenziale domini la crescita e che si venga a formare un grosso
cristallo singolo. In pratica uno dei microcristalli che si formano nella fase
iniziale agisce da germe cristallino. La geometria conica del crogiolo nella
parte inferiore limita il numero di nuclei formati. Con questo metodo si
ottengono cristalli singoli di sostanze come alogenuri alcalini, ferriti e NaNO2.
Il metodo Czochralski (di stiramento)
Nel metodo Czochralski (Figura)
un cristallo singolo viene cresciuto da un fuso della
stessa composizione. Un germe cristallino viene posto a contatto (sulla
superficie) del sale fuso, tenuto a temperatura costante appena al di sopra del
punto di fusione. Il germe viene tirato gradualmente fuori del fuso e ruotato
lentamente; il fuso raffredda e solidifica sul germe e forma un cristallo
allungato con la stessa orientazione cristallografica del germe originale. Nello
stiramento il fuso e il cristallo in crescita vengono ruotati in senso opposto.
L’interfaccia di crescita non viene mai in contatto con le pareti. |

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E’ necessario evitare che il germe cristallino fonda. Inoltre è necessario
uno stretto controllo sulla temperatura del sale fuso e bisogna tirare il germe
correttamente. Il metodo è ampiamente usato per cristalli di semiconduttori,
Si, Ge e alogenuri alcalini. Si impiega di solito una atmosfera inerte ad alta
pressione per evitare la perdita dei droganti As, P. Il metodo è stato usato
per ottenere cristalli per laser come Ca(NbO3)2 drogato
con neodimio.
Il metodo Verneuil
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Questo metodo è stato utilizzato per la prima volta nel 1904 per la crescita
di cristalli di ossidi ad alto punto di fusione. Usando l'apparecchiatura
mostrata in Figura, campioni in polvere fine sono introdotti in una fiamma
alimentata con idrogeno e ossigeno in modo da venir fusi e quindi depositati in
goccioline su di un germe cristallino posto sotto la fiamma. Dato che il metodo
non fa uso di contenitori, la quantità di impurezze introdotte è minima.
Cristalli singoli di rubino, zaffiro, spinelli, ferriti etc. vengono accresciuti
in questo modo. In una variante del metodo si usa una torcia al plasma per la
fusione. |
Il metodo dello zona fluttuante
Come mostrato in
Figura,
una bacchetta di materiale policristallino viene tenuta verticale e
fusa localmente mentre è sottoposta a rotazione. Mentre la zona fusa
si muove lungo la bacchetta si ha una progressiva fusione del campione
ad una estremità della zona e formazione del cristallo singolo all’altra
estremità.
Se si pone un germe ad una estremità l’intera
bacchetta può essere convertita in un cristallo singolo.
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Le bacchette vengono riscaldate mediante tecniche ad arco voltaico, o fasci
elettronici. Cristalli singoli di ferriti, spinelli, rubino, Y2O3
vengono prodotti con questa tecnica. Il metodo è analogo alla tecnica
detta zone-refining utilizzata per purificare i solidi e basata
sul fatto che le impurezze si concentrano nella fase liquida piuttosto che in
quella solida.
Cristallizzazione da soluzioni
Cristalli singoli possono venire prodotti da soluzioni
soprassature. Occorre
verificare in quali condizioni si può avere una crescita da un germe
cristallino senza avere nucleazione, ossia senza dar luogo alla formazione di
molti microcristalli.
Esistono tre modi di crescere cristalli singoli mantenendo una
soprassaturazione costante:
1) il solvente viene fatta evaporare man mano che il
cristallo cresce (metodo dell’evaporazione); 2) la temperatura della soluzione
viene abbassata durante la crescita cristallina (metodo del raffreddamento
lento);
3) cristalli irregolari vengono disciolti in una cella ad alta
temperatura e la soluzione risultante viene trasportata in una cella a
temperatura più bassa dove avviene la cristallizzazione (metodo termico
differenziale).
In questi metodi è difficile evitare una qualche contaminazione del prodotto
da altri componenti in soluzione.
Benchè la soprassaturazione sia necessaria per la crescita cristallina, si
osserva sperimentalmente che la velocità di crescita dalla soluzione è
enormemente maggiore di quanto atteso e che si ha notevole crescita anche a
bassi gradi di soprassaturazione (1%). Questo fatto è stato spiegato da Frank e
Cabrera in termini dell’effetto delle dislocazioni sulla crescita cristallina.
Mentre la crescita di un cristallo perfetto richiede la nucleazione di un
nuovo strato su una superficie perfetta dopo il completamento dello strato
precedente, in presenza di una dislocazione screw la crescita non richiede la
nucleazione di un nuovo strato. La dislocazione garantisce la presenza di una
superficie a gradini dove la crescita può avvenire anche a basso grado di
soprassaturazione.
Tra questi metodi la cristallizzazione da soluzioni acquose è una tecnica
molto comune. Ovviamente è di particolare utilità per la crescita di grandi
cristalli singoli di sostanze solubili in acqua. Esempi: difosfato di potassio,
allume, etc.
Materiali a bassa solubilità in acqua possono essere portati in soluzione
mediante agenti complessanti (mineralizers). Ad esempio il selenio può
essere cresciuto da acqua sfuttando la reazione:
2Se + S2- ↔ Se2S2-
Un metodo importante per crescere cristalli di materiali a bassa solubilità
in acqua è il metodo idrotermale (che vedremo di seguito).

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Cristalli di solidi ionici insolubili come CaCO3 e BaSO4
non possono essere cresciuti mediante metodi convenzionali da soluzioni e
nemmeno da reazioni chimiche controllate a causa della precipitazione istantanea
del prodotto quando i reagenti sono mescolati.
Per la cristallizazione di tali solidi è utile il
metodo del gel,
basato sulla diffusione controllata dei reagenti attraverso un gel. Si usa un
tubo a U (Figura) riempito di gel di silice (o altri) prodotto per
acidificazione di una soluzione di metasilicato di sodio.
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I reagenti vengono
introdotti dalle due estremità del tubo e diffondono lentamente l’uno verso l’altro.
In alcune regioni dove la concentrazione eccede il prodotto di solubilità si
formano nuclei da cui crescono grossi cristalli. Questa tecnica ha consentito la
crescita di grossi cristalli di tartrato di calcio, tungstato di calcio, PbI2
etc. riuscendo anche a incorporare impurezze selezionate (di ioni Mn2+,
Cu2+, Cr3+ etc.).
Sintesi idrotermale
Questo metodo è simile in linea di principio a quello della soluzione
acquosa, ma si basa sul fatto che benchè alcune sostanze non si sciolgano in
acqua a basse temperature e pressioni, esse si sciolgono bene quando riscaldate
ad alta temperatura e alte pressioni. Per accrescere cristalli singoli con
questa tecnica è necessario utilizzare una autoclave (Figura).

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I cristallini della sostanza vengono depositati sul fondo dell’autoclave in
presenza di acqua e i cristalli vengono a formarsi su di un germe cristallino
sospeso dall’alto.
Grandi cristalli di quarzo, silicati, fosfati, ZnO, ZnS,
PbO etc. vengono ottenuti per sintesi idrotermale.
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Sintesi di materiali cristallini o policristallini (polveri)
Reazioni in stato solido (shake ‘n
bake). Reazioni allo stato solido non implicano l’intervento di gas o di liquidi.
Queste tecniche sono anche dette metodi ceramici.
Si mescolano i reagenti in polvere, che possono eventualmente essere
compressi in pastiglie, e si procede al riscaldamento. I processi avvengono ad
alte temperature prodotte mediante riscaldamento di resistenze (sino a 2300 K).
Temperature più elevate possono essere ottenute con tecniche ad arco elettrico
(3300 K) o con laser a CO2 (4300 K). Se uno dei componenti è
volatile o sensibile all’atmosfera la reazione viene condotta in capsule
evacuate sigillate. La conoscenza del diagramma delle fasi è di notevole aiuto
nel fissare la composizione desiderata e le condizioni per la sintesi.
Il trasporto di atomi o ioni durante la reazione è estremamente lento e
quindi anche le reazioni allo stato solido lo sono. Questo significa che può
essere molto difficile ottenere materiali omogenei dalla combinazione diretta di
sostanze solide. Infatti la reazione avviene ai punti di contatto tra i
componenti e poi mediante diffusione attraverso la fase dei prodotti. Anche se i
reagenti sono mescolati molto accuratamente a livello delle particelle
individuali (ad esempio in una scala di 1mm)
a livello atomico risultano molto disomogenei.
Un altro svantaggio è che non c'è modo di conoscere lo stato di avanzamento
della reazione. E' solo provando e riprovando che è possibile stabilire le
condizioni più appropriate per il processo. Non è insolito che alla fine si
ottengano miscele solide di reagenti e di prodotti.
Nonostante le difficoltà, i metodi ceramici sono assai diffusi per la
sintesi di varie sostanze, come ossidi, solfuri, fosfuri ternari etc. Per questa
via sono stati prodotti i moderni materiali superconduttori ad alta Tc.
Reazioni di combinazione diretta.
Come esempio di tale processo
consideriamo la preparazione di SrTiO3 partendo da SrO e TiO2,
due ossidi binari, in proporzioni stechiometriche corrette di 1:1 usando un
mortaio e un pestello. La prima fase consiste nel pressare la miscela e ottenere
un pellet che viene poi trasferito in un forno a 900 °C. Normalmente il
crogiolo è fatto di materiale refrattario come silice vetrosa, allumina
ricristallizzata o platino. Le elevate temperature del processo si spiegano, come detto, con la scarsa
mobilità degli ioni del reticolo.

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Mescolando due sostanze polverizzate come MgO e Al2O3
si ha una situazione ideale delle particelle come quella in Figura; se la
miscela viene riscaldata a 1400 °C, si ha la formazione dello spinello MgAl2O4
come mostrato dal diagramma di fase MgO-Al2O3
(Figura).
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All’interfaccia dei grani lo spessore dello strato di spinello, x, aumenta
con il tempo t secondo la relazione: x2 = kt
dove k è la costante di velocità della reazione
k = k0exp (-DE/RT)
Dato che l’energia di attivazione è
sempre positiva, la velocità di reazione cresce al crescere della
temperatura T.
Uno dei disegni di Escher
(Fishes to birds) può illustrare per analogia
(Figura) le delicate trasformazioni che si verificano all’interfaccia tra le
due fasi.
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Mentre localmente la fase dello spinello è elettricamente neutra, la
crescita dello strato di spinello avviene per diffusione degli ioni Al3+
verso MgO e degli ioni Mg2+ verso Al2O3 (Figura).
Benchè i primi strati del prodotto si possono formare in modo relativamente
facile, la crescita successiva è più difficile perchè i due reagenti MgO e Al2O3
non risultano più in contatto ma sono separati da uno strato poco penetrabile di spinello.
Per preservare l’elettroneutralità locale, per ogni tre ioni Mg2+
devono muoversi in direzione opposta due ioni Al3+. I processi ideali
alle due interfacce sono:
MgO/ MgAl2O4 : 2Al3+ - 3Mg2+
+ 4MgO → MgAl2O4
Al2O3/ MgAl2O4 :
3Mg2+ - 2Al3+ + 4Al2O3 → 3MgAl2O4
La seconda interfaccia si dovrebbe muovere tre volte più velocemente della
prima. Nel caso in cui reagenti e prodotti siano di diversi colori è possibile
(in esperimenti appositamente predisposti) osservare visualmente lo spostamento
delle interfacce (effetto Kirkendall).
Formazione di soluzioni solide.
Esistono solidi con miscibilità
praticamente completa. E' il caso di MgO e di NiO.
Quando campioni di MgO e di NiO vengono posti a contatto e riscaldati, l’interdiffusione
degli ioni porta alla formazione di un nuovo solido, la soluzione solida MgO-NiO.
Se lo spinello MgO-Al2O3 è posto a contatto con Al2O3
e riscaldato ad elevate temperature, lo spinello discioglie Al2O3
sino al limite di solubilità, formando così una soluzione solida di
formula MgO.nAl2O3 dove n dipende dalla temperatura. Per
raffreddamento della soluzione solida si ha la precipitazione della fase Al2O3.
Questo tipo di reazioni allo stato solido è chiamato
dissoluzione-precipitazione.
Reazioni solido-gas e solido-liquido
Anche a temperatura ambiente i solidi reagiscono con liquidi e gas sia pure
molto lentamente. A temperature elevate queste reazioni procedono in modo molto
più veloce. Inoltre esistono reazioni di decomposizione termica che danno luogo
alla formazione di solidi e gas. Reazioni gassose ad alta temperatura sono molto
importanti per la sintesi di polveri fini e di film sottili.
Reazioni di evaporazione. Esistono due tipi di evaporazione di un solido:
omogenea e non-omogenea. Se un solido evapora senza cambiare composizione si
parla di evaporazione omogenea. Esempi di reazioni di evaporazione omogenea sono
mostrati in Tabella.
Reazioni di
evaporazione
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Composto
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Vapori
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MgO
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→ Mg + O +
MgO (molto scarso)
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PbO
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→ Pb + PbO +
(PbO)2 + (PbO)4
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Al2O3
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→ Al + O +
AlO + Al2O + O2
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SiO2
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→ SiO + O2
+ SiO2
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SiC
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→ Si + SiC2
+ SiC
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Si3N4
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→ Si + N2
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A volte invece alcuni componenti di un solido tendono a vaporizzare
preferenzialmente da composti a molti componenti. Questa è chiamata
evaporazione non-omogenea. Man mano che il processo di evaporazione procede, la
composizione superficiale del composto cambia nel tempo. Esempi di evaporazione
preferenziale sono quelli di Na2O da carbonato sodico amorfo, PbO da
vetri al piombo, ZnO da ZnAl2O4 e CaO da zirconia
stabilizzata con ossido di calcio.
Reazioni di
ossidazione. Come esempio di ossidazione di un metallo
consideriamo quella del Ni a dare NiO. Mentre si forma uno strato di NiO la
pressione parziale di ossigeno all’interfaccia tra NiO e O2 è
quella della atmosfera circostante, p(O2, 1). La pressione parziale
di ossigeno all'interfaccia tra Ni e NiO è quella della pressione di
decomposizione di NiO, p(O2, 2). Quindi si viene a creare un
gradiente di pressione parziale di ossigeno (potenziale chimico dell’ossigeno)
nello strato di NiO.
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