SINTESI DI MATERIALI INORGANICI SOLIDI

 

Introduzione

La disponibilità di campioni solidi puri e ben caratterizzati è cruciale per ogni studio di stato solido. La conoscenza dei vari metodi sperimentali disponibili per la preparazione di solidi costituisce una parte importante e integrale della chimica dello stato solido.

In molti casi la sintesi di un nuovo materiale allo stato solido ha aperto nuove linee di ricerca e potenzialità applicative (vedi Tabelle).

 

Alcune importanti preparazioni allo stato solido

Prototipo 

Riportato da

Sviluppo successivo

InP

Thiel (1910)

Semiconduttori III-V

ZrO2(CaO)

Ruff (1929)

Elettrolita solido, sensori d'ossigeno

Naβ-allumina

Stillwell (1926)

Elettrolita solido, batterie Na-S

V3Si

Wallbaum (1939)

Superconduttori ad alta Tc

BaTiO3

Tammann (1925)

Ferroelettrici, capacitori ceramici

LiNbO3

Süe (1937)

Ottica non lineare

BaFe12O19

Adelsköd, Schrewelius (1938)

Ferriti, memorie

LnNi5

Klemm (1943)

Magneti forti

(Ln = terra rara)

 

Materiali per immagazzinare Idrogeno

Si amorfo

Konig (1944)

Celle solari

Ca5(PO4)3X: Sb3+Mn2+

McKeag, Ranby, Jenkins (1949)

 Lampade fluorescenti 

ZnS/CdS

Krüger (1940)

Fosfori per tubi catodici

 

 

Alcuni tipi innovativi di materiali applicativi sono riportate nella seguente Tabella.

 

Alcuni materiali di rilievo tecnologico sintetizzati recentemente

Sialon (Si, Al)3 (O, N)4

Ceramiche per alte Temperature

Sm0.4Y2.6Ga1.2Fe3.8O12

Memorie a bolle magnetiche

MxMo6Se8 (fasi di Chevrel)

Superconduttori ad alto campo

LnRh4B4 (Ln = terra rara)

Superconduttori magnetici

Alluminosilicati (compreso ZSM-5)

Catalisi

Pb2Ru2-xPbx4+O7-y

Elettrocatalisi (in elettrodi ad ossigeno)

Poliacetilene (doping n e p)

Batterie a stato solido

Polimeri diacetilenici

Materiali NLO (migliori di LiIO3)

Cristalli liquidi organici

Dispositivi per display

 

Se per molti scienziati dello stato solido la preparazione di solidi può significare essenzialmente la crescita di cristalli singoli di un elemento o di un composto semplice (come Si, Ge, semiconduttori III-V, alogenuri alcalini, etc.), per lo studio di proprietà specifiche o per applicazioni tecnologiche, le sintesi di materiali in realtà hanno prospettive molto più generali, particolarmente attraenti per i chimici.
I progressi tecnologici hanno messo a disposizione dei chimici dello stato solido un ampio range di condizioni (quenching ultrarapido di materiali da alte temperature, irraggiamento con fasci laser intensi, alte pressioni etc.) applicabili per scopi preparativi. 

Si possono distinguere quattro categorie di preparazioni:

1) preparazione di una serie di composti per studiare una proprietà specifica (per esempio, una serie di perovskiti per le proprietà elettriche o una serie di spinelli per le proprietà magnetiche);

2) preparazione di membri sconosciuti di una classe di solidi a struttura nota, come nel caso della sintesi di calcogenuri lamellari e loro composti di intercalazione o composti per superconduttività;

3) sintesi di nuove classi di composti;

4) preparazione di solidi già noti ma con caratteristiche particolari (forma, cristallinità, purezza).

E' utile distinguere anche tra preparazione di nuovi materiali e preparazione di materiali noti con nuovi metodi (nuove strategie sintetiche).

I materiali allo stato solido possono essere ottenuti in forme differenti, dal cristallo singolo alle polveri, dalla fase amorfa o vetrosa ai film sottili e alle fibre. Vedremo alcune delle tecniche più comuni.

Crescita di cristalli singoli

I cristalli singoli sono essenziali sia per gli studi fondamentali dei solidi sia per la fabbricazione di dispositivi. Idealmente i cristalli singoli devono essere grandi, puri e privi di difetti, anche se a volte la difettività viene creata in modo controllato per ottenere determinate proprietà. Il metodo di crescita dipende dalle proprietà fisiche del materiale nonché dal suo diagramma di fase.

Cristalli singoli possono essere ottenuti sia per precipitazione da soluzioni, sia per raffreddamento dal materiale fuso, sia per altre vie.

Alcuni metodi sono elencati in Tabella.

 

Principali metodi di crescita cristallina

I. Crescita in sistemi ad un componente

(a) Solido-solido

Strain-annealing, devetrificazione o cambio fase polimorfo

(b) Liquido-solido

Solidificazione direzionale (Bridgman-Stockbarger)

Stiramento (Czochralski)

Fusione a Zone

Fusione a fiamma (Verneuil)

(c) Gas-solido

Sublimazione-condensazione o spruzzo

II. Crescita con più componenti

(a) Solido-solido

Precipitazione da soluzioni solide

(b) Liquido-solido

Crescita da soluzioni (evaporazione, raffreddamento lento e temperatura differenziale):
(i) soluzione acquosa; (ii) solventi organici;
(iii) solventi fusi; (iv) idrotermale

Crescita per reazione:

(i) reazione chimica; (ii) reazione elettrochimica

Crescita da fuso; e.g. fusione congruente di composti

intermetallici

(c) Gas-solido

Crescita da reazione reversibile (chemical vapour transport)

Crescita da reazione irreversibile (processi epitassiali).

 

Metodi Bridgman- Stockbarger

Questi metodi si basano sulla solidificazione di un fuso stechiometrico, con controllo della cristallizzazione mediante passaggio del fuso attraverso un gradiente di temperatura. La cristallizzazione avviene all’estremità più fredda. La Figura (a sinistra) mostra il principio del metodo Stockbarger, col fuso in una navetta estratta da una fornace. Il metodo Bridgman utilizza un contenitore riempito con il materiale in polvere e riscaldato sino al punto di fusione della sostanza (Figura, a destra). Dopo fusione completa, il contenitore viene gradualmente raffreddato per accrescere un cristallo singolo.

Durante la solidificazione, si formano minuscoli cristalli sulla punta del contenitore. Raffreddando ulteriormente, accade che un cristallo con una orientazione preferenziale domini la crescita e che si venga a formare un grosso cristallo singolo. In pratica uno dei microcristalli che si formano nella fase iniziale agisce da germe cristallino. La geometria conica del crogiolo nella parte inferiore limita il numero di nuclei formati. Con questo metodo si ottengono cristalli singoli di sostanze come alogenuri alcalini, ferriti e NaNO2.

 

Il metodo Czochralski (di stiramento)

 

Nel metodo Czochralski (Figura)  un cristallo singolo viene cresciuto da un fuso della stessa composizione. Un germe cristallino viene posto a contatto (sulla superficie) del sale fuso, tenuto a temperatura costante appena al di sopra del punto di fusione. Il germe viene tirato gradualmente fuori del fuso e ruotato lentamente; il fuso raffredda e solidifica sul germe e forma un cristallo allungato con la stessa orientazione cristallografica del germe originale. Nello stiramento il fuso e il cristallo in crescita vengono ruotati in senso opposto. L’interfaccia di crescita non viene mai in contatto con le pareti.

 

E’ necessario evitare che il germe cristallino fonda. Inoltre è necessario uno stretto controllo sulla temperatura del sale fuso e bisogna tirare il germe correttamente. Il metodo è ampiamente usato per cristalli di semiconduttori, Si, Ge e alogenuri alcalini. Si impiega di solito una atmosfera inerte ad alta pressione per evitare la perdita dei droganti As, P. Il metodo è stato usato per ottenere cristalli per laser come Ca(NbO3)2 drogato con neodimio.

 

Il metodo Verneuil

Questo metodo è stato utilizzato per la prima volta nel 1904 per la crescita di cristalli di ossidi ad alto punto di fusione. Usando l'apparecchiatura mostrata in Figura, campioni in polvere fine sono introdotti in una fiamma alimentata con idrogeno e ossigeno in modo da venir fusi e quindi depositati in goccioline su di un germe cristallino posto sotto la fiamma. Dato che il metodo non fa uso di contenitori, la quantità di impurezze introdotte è minima. Cristalli singoli di rubino, zaffiro, spinelli, ferriti etc. vengono accresciuti in questo modo. In una variante del metodo si usa una torcia al plasma per la fusione.

 

Il metodo dello zona fluttuante

Come mostrato in Figura,   una bacchetta di materiale policristallino viene tenuta verticale e fusa localmente mentre è sottoposta a rotazione. Mentre la zona fusa si muove lungo la bacchetta si ha una progressiva fusione del campione ad una estremità della zona e formazione del cristallo singolo all’altra estremità. 

Se si pone un germe ad una estremità l’intera bacchetta può essere convertita in un cristallo singolo.

 

 

Le bacchette vengono riscaldate mediante tecniche ad arco voltaico, o fasci elettronici. Cristalli singoli di ferriti, spinelli, rubino, Y2O3 vengono prodotti con questa tecnica. Il metodo è analogo alla tecnica detta zone-refining utilizzata per purificare i solidi e basata sul fatto che le impurezze si concentrano nella fase liquida piuttosto che in quella solida.

 

Cristallizzazione da soluzioni

Cristalli singoli possono venire prodotti da soluzioni soprassature. Occorre verificare in quali condizioni si può avere una crescita da un germe cristallino senza avere nucleazione, ossia senza dar luogo alla formazione di molti microcristalli.

Esistono tre modi di crescere cristalli singoli mantenendo una soprassaturazione costante:

1) il solvente viene fatta evaporare man mano che il cristallo cresce (metodo dell’evaporazione); 2) la temperatura della soluzione viene abbassata durante la crescita cristallina (metodo del raffreddamento lento); 

3) cristalli irregolari vengono disciolti in una cella ad alta temperatura e la soluzione risultante viene trasportata in una cella a temperatura più bassa dove avviene la cristallizzazione (metodo termico differenziale).

In questi metodi è difficile evitare una qualche contaminazione del prodotto da altri componenti in soluzione.

Benchè la soprassaturazione sia necessaria per la crescita cristallina, si osserva sperimentalmente che la velocità di crescita dalla soluzione è enormemente maggiore di quanto atteso e che si ha notevole crescita anche a bassi gradi di soprassaturazione (1%). Questo fatto è stato spiegato da Frank e Cabrera in termini dell’effetto delle dislocazioni sulla crescita cristallina. Mentre la crescita di un cristallo perfetto richiede la nucleazione di un nuovo strato su una superficie perfetta dopo il completamento dello strato precedente, in presenza di una dislocazione screw la crescita non richiede la nucleazione di un nuovo strato. La dislocazione garantisce la presenza di una superficie a gradini dove la crescita può avvenire anche a basso grado di soprassaturazione.

Tra questi metodi la cristallizzazione da soluzioni acquose è una tecnica molto comune. Ovviamente è di particolare utilità per la crescita di grandi cristalli singoli di sostanze solubili in acqua. Esempi: difosfato di potassio, allume, etc.

Materiali a bassa solubilità in acqua possono essere portati in soluzione mediante agenti complessanti (mineralizers). Ad esempio il selenio può essere cresciuto da acqua sfuttando la reazione:

2Se + S2- ↔ Se2S2-

Un metodo importante per crescere cristalli di materiali a bassa solubilità in acqua è il metodo idrotermale (che vedremo di seguito).

Cristalli di solidi ionici insolubili come CaCO3 e BaSO4 non possono essere cresciuti mediante metodi convenzionali da soluzioni e nemmeno da reazioni chimiche controllate a causa della precipitazione istantanea del prodotto quando i reagenti sono mescolati.

Per la cristallizazione di tali solidi è utile il metodo del gel, basato sulla diffusione controllata dei reagenti attraverso un gel. Si usa un tubo a U (Figura) riempito di gel di silice (o altri) prodotto per acidificazione di una soluzione di metasilicato di sodio. 

 

I reagenti vengono introdotti dalle due estremità del tubo e diffondono lentamente l’uno verso l’altro. In alcune regioni dove la concentrazione eccede il prodotto di solubilità si formano nuclei da cui crescono grossi cristalli. Questa tecnica ha consentito la crescita di grossi cristalli di tartrato di calcio, tungstato di calcio, PbI2 etc. riuscendo anche a incorporare impurezze selezionate (di ioni Mn2+, Cu2+, Cr3+ etc.).

 

Sintesi idrotermale

Questo metodo è simile in linea di principio a quello della soluzione acquosa, ma si basa sul fatto che benchè alcune sostanze non si sciolgano in acqua a basse temperature e pressioni, esse si sciolgono bene quando riscaldate ad alta temperatura e alte pressioni. Per accrescere cristalli singoli con questa tecnica è necessario utilizzare una autoclave (Figura).

I cristallini della sostanza vengono depositati sul fondo dell’autoclave in presenza di acqua e i cristalli vengono a formarsi su di un germe cristallino sospeso dall’alto. 

 

Grandi cristalli di quarzo, silicati, fosfati, ZnO, ZnS, PbO etc. vengono ottenuti per sintesi idrotermale.

 

Sintesi di materiali cristallini o policristallini (polveri)

 

Reazioni in stato solido (shake ‘n bake).  Reazioni allo stato solido non implicano l’intervento di gas o di liquidi. Queste tecniche sono anche dette metodi ceramici.

Si mescolano i reagenti in polvere, che possono eventualmente essere compressi in pastiglie, e si procede al riscaldamento. I processi avvengono ad alte temperature prodotte mediante riscaldamento di resistenze (sino a 2300 K). Temperature più elevate possono essere ottenute con tecniche ad arco elettrico (3300 K) o con laser a CO2 (4300 K). Se uno dei componenti è volatile o sensibile all’atmosfera la reazione viene condotta in capsule evacuate sigillate. La conoscenza del diagramma delle fasi è di notevole aiuto nel fissare la composizione desiderata e le condizioni per la sintesi.

Il trasporto di atomi o ioni durante la reazione è estremamente lento e quindi anche le reazioni allo stato solido lo sono. Questo significa che può essere molto difficile ottenere materiali omogenei dalla combinazione diretta di sostanze solide. Infatti la reazione avviene ai punti di contatto tra i componenti e poi mediante diffusione attraverso la fase dei prodotti. Anche se i reagenti sono mescolati molto accuratamente a livello delle particelle individuali (ad esempio in una scala di 1mm) a livello atomico risultano molto disomogenei.

Un altro svantaggio è che non c'è modo di conoscere lo stato di avanzamento della reazione. E' solo provando e riprovando che è possibile stabilire le condizioni più appropriate per il processo. Non è insolito che alla fine si ottengano miscele solide di reagenti e di prodotti.

Nonostante le difficoltà, i metodi ceramici sono assai diffusi per la sintesi di varie sostanze, come ossidi, solfuri, fosfuri ternari etc. Per questa via sono stati prodotti i moderni materiali superconduttori ad alta Tc.

Reazioni di combinazione diretta. Come esempio di tale processo consideriamo la preparazione di SrTiO3 partendo da SrO e TiO2, due ossidi binari, in proporzioni stechiometriche corrette di 1:1 usando un mortaio e un pestello. La prima fase consiste nel pressare la miscela e ottenere un pellet che viene poi trasferito in un forno a 900 °C. Normalmente il crogiolo è fatto di materiale refrattario come silice vetrosa, allumina ricristallizzata o platino. Le elevate temperature del processo si spiegano, come detto, con la scarsa mobilità degli ioni del reticolo.

Mescolando due sostanze polverizzate come MgO e Al2O3 si ha una situazione ideale delle particelle come quella in Figura; se la miscela viene riscaldata a 1400 °C, si ha la formazione dello spinello MgAl2O4 come mostrato dal diagramma di fase MgO-Al2O3 (Figura).

 

All’interfaccia dei grani lo spessore dello strato di spinello, x, aumenta con il tempo t secondo la relazione: x2 = kt

dove k è la costante di velocità della reazione k = k0exp (-DE/RT)

Dato che l’energia di attivazione è sempre positiva, la velocità di reazione cresce al crescere della temperatura T.

Uno dei disegni di Escher (Fishes to birds) può illustrare per analogia (Figura) le delicate trasformazioni che si verificano all’interfaccia tra le due fasi.

 

Mentre localmente la fase dello spinello è elettricamente neutra, la crescita dello strato di spinello avviene per diffusione degli ioni Al3+ verso MgO e degli ioni Mg2+ verso Al2O3 (Figura). Benchè i primi strati del prodotto si possono formare in modo relativamente facile, la crescita successiva è più difficile perchè i due reagenti MgO e Al2O3 non risultano più in contatto ma sono separati da uno strato poco penetrabile di spinello.

Per preservare l’elettroneutralità locale, per ogni tre ioni Mg2+ devono muoversi in direzione opposta due ioni Al3+. I processi ideali alle due interfacce sono:

MgO/ MgAl2O4 : 2Al3+ - 3Mg2+ + 4MgO → MgAl2O4

Al2O3/ MgAl2O4 : 3Mg2+ - 2Al3+ + 4Al2O3 → 3MgAl2O4

La seconda interfaccia si dovrebbe muovere tre volte più velocemente della prima. Nel caso in cui reagenti e prodotti siano di diversi colori è possibile (in esperimenti appositamente predisposti) osservare visualmente lo spostamento delle interfacce (effetto Kirkendall).

Formazione di soluzioni solide. Esistono solidi con miscibilità praticamente completa. E' il caso di MgO e di NiO.

Quando campioni di MgO e di NiO vengono posti a contatto e riscaldati, l’interdiffusione degli ioni porta alla formazione di un nuovo solido, la soluzione solida MgO-NiO.

Se lo spinello MgO-Al2O3 è posto a contatto con Al2O3 e riscaldato ad elevate temperature, lo spinello discioglie Al2O3 sino al limite di solubilità, formando così una soluzione solida di formula MgO.nAl2O3 dove n dipende dalla temperatura. Per raffreddamento della soluzione solida si ha la precipitazione della fase Al2O3. Questo tipo di reazioni allo stato solido è chiamato dissoluzione-precipitazione.

 Reazioni solido-gas e solido-liquido

Anche a temperatura ambiente i solidi reagiscono con liquidi e gas sia pure molto lentamente. A temperature elevate queste reazioni procedono in modo molto più veloce. Inoltre esistono reazioni di decomposizione termica che danno luogo alla formazione di solidi e gas. Reazioni gassose ad alta temperatura sono molto importanti per la sintesi di polveri fini e di film sottili.

 Reazioni di evaporazione. Esistono due tipi di evaporazione di un solido: omogenea e non-omogenea. Se un solido evapora senza cambiare composizione si parla di evaporazione omogenea. Esempi di reazioni di evaporazione omogenea sono mostrati in Tabella.

Reazioni di evaporazione

Composto

Vapori

MgO

→ Mg + O + MgO (molto scarso)

PbO

→ Pb + PbO + (PbO)2 + (PbO)4

Al2O3

→ Al + O + AlO + Al2O + O2

SiO2

→ SiO + O2 + SiO2

SiC

→ Si + SiC2 + SiC

Si3N4

→ Si + N2

 

A volte invece alcuni componenti di un solido tendono a vaporizzare preferenzialmente da composti a molti componenti. Questa è chiamata evaporazione non-omogenea. Man mano che il processo di evaporazione procede, la composizione superficiale del composto cambia nel tempo. Esempi di evaporazione preferenziale sono quelli di Na2O da carbonato sodico amorfo, PbO da vetri al piombo, ZnO da ZnAl2O4 e CaO da zirconia stabilizzata con ossido di calcio.

Reazioni di ossidazione. Come esempio di ossidazione di un metallo consideriamo quella del Ni a dare NiO. Mentre si forma uno strato di NiO la pressione parziale di ossigeno all’interfaccia tra NiO e O2 è quella della atmosfera circostante, p(O2, 1). La pressione parziale di ossigeno all'interfaccia tra Ni e NiO è quella della pressione di decomposizione di NiO, p(O2, 2). Quindi si viene a creare un gradiente di pressione parziale di ossigeno (potenziale chimico dell’ossigeno) nello strato di NiO.

 

NiO è un composto non stechiometrico con vacanze cationiche. Dato che la concentrazione delle vacanze cationiche e delle buche dipende dalla pressione di O2, anche le loro concentrazioni hanno un gradiente. Di conseguenza, le vacanze di Ni (VNi) diffondono dalla superficie verso l’interfaccia tra Ni e NiO (Figura).

 

Le reazioni di ossidazione non sono importanti solo nei metalli, ma anche in ceramici a base non ossidica. Come esempio si può considerare l’ossidazione del nitruro di silicio ad alte temperature:

2Si3N4 + 3O2 → 6SiO(g) + 4N2(g) a basse pressioni di O2

Si3N4 + 3O2 → 3SiO2(s) + 2N2(g) ad alte pressioni di O2

 

Dato che la prima reazione produce solo prodotti gassosi, procede molto violentemente. Nella seconda reazione invece si forma uno strato di ossido di silicio per cui la reazione procede più lentamente nel tempo.

Reazioni di decomposizione termica. Se scaldati ad alta temperatura carbonati, ossalati, nitrati e idrossidi si decompongono e generano gas (decomposizione termica). La decomposizione termica si studia mediante analisi termica differenziale (DTA) e termogravimetria (TG).

Un esempio di studio DTA-TG è riportato in Figura e si riferisce alla decomposizione della idrargillite (gibsite), Al2O3.3H2O.

 

 

Le curve si riferiscono a materiale con grani grossolani e grani fini. Il minerale con grani grandi perde acqua a 200 °C; una importante deidratazione avviene attorno ai 300 °C e quindi il materiale perde ancora tracce di acqua a 550 °C. Il materiale a grani fini mostra un solo processo di deidratazione a 300 °C. Per confronto, la deidratazione della bohemite, Al2O3.H2O avviene a 550 °C. Questo sembra indicare che nella deidratazione dell'idroargillite si forma una piccola quantità di bohemite. Studi di diffrazione ai raggi X hanno mostrato i seguenti processi di deidratazione:

1) idroargillite a grani grossolani  → → bohemite → g- Al2O3  c- Al2O3

2) idroargillite a grani fini             →  c- Al2O3

3) bohemite                                  →  g- Al2O3

In genere la decomposizione termica dei solidi inizia nelle zone difettive quali superfici, bordi di grano e dislocazioni.

Ferriti tipo spinello, MFe2O4 (M = Mg, Mn, Co, Ni) sono state ottenute per decomposizione termica di acetati di formula complessa. Il vantaggio del metodo è che partendo da un precursore cristallino ad alta purezza con il rapporto Fe/M desiderato è possibile ottenere materiali altrettanto puri. In questo modo sono state preparate anche cromiti, MCr2O2, per decomposizione dei dicromati, (NH4)2M(CrO4)2.6H2O, BaTiO3 da ossalati misti di Ba e Ti, ecc.

 

Deposizione da vapore chimico (CVD)

 

La tecnica del chemical vapor deposition (CVD) è molto utilizzata in quanto permette di ottenere solidi in praticamente tutte le morfologie possibili (amorfi, policristallini, crescita epitassiale, cristalli singoli). Ha il vantaggio di poter essere utilizzata a temperatura relativamente bassa, con buon controllo sulla omogeneità e sulla stechiometria. Inoltre è possibile incorporare sostanze droganti in modo controllato.

Sono noti due tipi generali di processi. Uno è la formazione del solido per decomposizione termica di un gas omogeneo

A(g) → B(s) + C(g)

Il secondo è la formazione di un solido per reazione chimica di due gas

A(g) + B(g) → C(s) +D(g)

Esempi sono:

CH3SiCl3 (g) → SiC (s) + 3HCl (g)

CH4 (g) → C(s) + 2H2 (g)

 

In generale comunque il metodo CVD si riferisce al secondo tipo di processo. Una varietà di reazioni gassose possono essere impiegate nei processi di CVD:

1) reazioni di idratazione-decomposizione

2AlCl3 (g) + 3 H2O (g) → Al2O3 (s) + 6 HCl (g)

2) reazioni di ossidoriduzione

AlCl3 (g) + 1/2 N2 (g) + 3/2 H2 (g) → AlN (s) + 3 HCl (g)

3) reazioni di sostituzione

TiCl4 (g) + O2(g) → TiO2 (s) + 2Cl2 (g)

 

In genere le reazioni vanno attivate termicamente aumentando il moto molecolare o la formazione di radicali. Ciò avviene per riscaldamento, irraggiamento laser, etc. (vedi Figura).

 

A seconda delle condizioni del processo si possono ottenere diverse morfologie del solido, polveri fini, cristalli singoli, fibre e policristalli.

Al variare della combinazione delle specie gassose, della temperatura di reazione, della velocità del flusso etc. è possibile alterare il solido formato. 

In Figura è illustrata la variazione della morfologia del precipitato in funzione della temperatura del substrato e del grado di supersaturazione: 1) litografia, 2) crescita epitassiale, 3-5) crescita di aghi, 6) crescita colonnare, 7) cristalli fini, 8) solido amorfo.

 

Il livello di supersaturazione è un fattore determinante per la crescita. Il grado di supersaturazione è definito come il rapporto tra la pressione di vapore del solido reale e quella del solido precipitato.

Per esempio consideriamo la reazione CVD

TiCl4 (g) + CH4 (g) → TiC (s) + 4HCl (g)

Il grado di supersaturazione è dato da P/P0, dove P e P0 sono le pressioni parziali di TiC(g), generato nella reazione, e la pressione di vapore di TiC(s) alla temperatura della reazione.

Aumentando P/P0 la deviazione dall’equilibrio aumenta, risultando in una maggiore nucleazione rispetto alla crescita cristallina.

La morfologia del solido cambia come segue: cristallo singolo, policristallo, polvere grossolana, polvere fine, amorfo. La morfologia del solido è infine influenzata dalla velocità della reazione chimica.

La tecnica CVD è ampiamente usata per la preparazione di silicio e di semiconduttori III-V. Nel caso del silicio in particolare si ricorre alla riduzione in idrogeno di SiCl4 o alla pirolisi di SiH4.

Anche materiali isolanti come SiO2, Si3N4 e Al2O3 sono stati ottenuti mediante CVD. La tecnica CVD è particolarmente indicata per la sintesi di superconduttori e materiali magnetici. Una serie di reazioni CVD in fase gassosa è riportata in Tabella.

Esempi di reazioni in fase gas

1

SiCl4 + O2 → SiO2 + 2Cl2

2

TiCl4 + O2 → TiO2(A) + 2Cl2

3

TiCl4 + O2 → TiO2(R) + 2Cl2

4

TiCl4 + 2H2O → TiO2(A) + 4HCl

5

AlBr3 + 3/4O2 → 1/2Al2O3 + 3/2Br2

6

AlCl3 + 3/4O2 → 1/2Al2O3 + 3/2Cl2

7

FeCl3 + 3/4O2 → 1/2Fe2O3 + 3/2Cl2

8

ZrCl4 + O2 → ZrO2 + 2Cl2

9

SiCl4 + 2H2 + 2/3N2 → 1/3Si3N4 + 4HCl

10

SiCl4 +4/3NH3 → l/3Si3N4 + 4HCl

11

TiCl4 + 1/2N2 +2H2 → TiN + 4HCl

12

TiCl4 + NH3 + 1/2H2 → TiN + 4HCl

13

VCl4 + NH3 + 1/2H2 → VN + 4HCl

14

TiCl4 + CH4 → C + 4HCl